7月14日晚间，扎根合肥的国产存储龙头长鑫科技发布科创板首次公开发行股票上市发行公告，确定本次新股申购日期为7月16日，发行价格8.66元/股。作为国内唯一实现DRAM规模化量产的IDM一体化企业，长鑫科技本次IPO募资规模创下省内企业新高，预估上市市值约5792亿元，将进一步夯实安徽半导体产业全国核心地位。

根据发行公告披露，以8.66元/股发行价测算，对应发行人2025年扣非前后孰低、未行使超额配售选择权摊薄后市盈率308.92倍；若全额行使超额配售选择权，发行后市盈率达313.56倍，两项数值均显著高于中证指数发布的行业近一月平均静态市盈率76.32倍，充分反映资本市场对国产存储芯片赛道及长鑫科技核心竞争力的高度认可。

募资规模方面，本次募投项目规划使用募集资金295亿元。超额配售选择权行使前，预计募集资金总额579.19亿元，扣除发行费用后净额约576.38亿元；若全额行使超额配售选择权，募资总额可达666.07亿元，净额约663.10亿元，巨额资金将全部投向存储芯片先进产能扩建、前沿工艺研发等核心领域，持续完善国产DRAM产业链自主供给能力。

2016年成立于合肥的长鑫科技，是国内规模最大、技术最先进、产业链布局最完整的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，一举打破海外巨头长期垄断国内DRAM市场的格局。行业机构Omdia发布的2025年第四季度全球DRAM销售额统计数据显示，长鑫科技全球市场份额提升至7.67%，位列全球第四、国内第一，成为全球存储产业格局中的重要中国力量。

长期以来，全球DRAM市场高度集中，三星、SK海力士、美光三家海外厂商合计占据九成以上市场份额，存储芯片也长期是我国半导体产业链关键短板。长鑫科技扎根合肥综合性国家科学中心创新沃土，持续攻坚DRAM核心工艺，实现DDR4、DDR5、LPDDR5等全系列存储芯片稳定量产，产品广泛应用于智能手机、算力服务器、车载电子、PC终端等多元场景，为国内电子信息产业提供安全自主的存储核心部件。

       此次登陆科创板，是长鑫科技发展历程的关键里程碑，也将为合肥乃至全省集成电路产业注入强劲资本动能。依托本次大额募资，企业将持续扩大先进存储产能、迭代升级高端存储技术，加速实现更高水平国产替代。与此同时，长鑫科技上市将带动上下游设备、材料、封测配套企业协同发展，持续放大合肥“芯屏汽合”产业集群优势，助力安徽打造全国领先的集成电路产业高地，为我国半导体产业高水平自立自强贡献安徽力量。